În esență este vorba despre redesenarea arhitecturii plăcilor de bază prin așezarea chipurilor pe verticală. Prin noul design, tranzistorii formează un efect de câmp de transport vertical (VTFET), permițând curentului să circule în sus și în jos, în locul circuitelor în plan orizontal utilizate în prezent.
Deși va mai dura până la folosirea modelelor VTFET în telefoanele comercializate, cele două companii cred că această tehnologie ar putea oferi “o dublare a performanței și, implicit, o reducere de 85% a consumului de energie” față de modelele actuale. IBM și Samsung menționează că transpusă în domeniul telefoniei mobile, această tehnlogie “va permite încărcarea o dată pe săptămână”. Alte aplicații ar putea fi în domeniul criptării datelor sau în cel al construcției de nave spațiale.
În vară, Intel a prezentat primul tranzistor care permite ordonarea verticală, iar recent a anunțat la rândul său un plan pentru dezvoltarea acestei tehnologii.
Sursă alternativă: The Verge
